简介： 本发明公开一种LED，在衬底上生长外延层，在外延层上制作可变电阻率的透明导电层，在透明导电层上制作P电极，而在外延层上制作N电极；透明导电层由导电高分子复合材料构成，导电高分子复合材料由高分子基体材料和导电填料按体积比为1 : 0.01?1 : 1组成，高分子基体材料为环氧树脂、硅氧树脂、聚乙烯、偏二氟乙烯中的一种，导电填料为炭黑、石墨烯、碳纳米管、金属颗粒、金属纤维、金属氧化物颗粒中的一种或几种。本发明还公开所述LED制造方法。本发明可以解决LED芯片在恒压驱动模式下所对应的驱动电流随温度的上升而急剧升高的问题。