陶瓷部件及包括该陶瓷部件的等离子体蚀刻装置
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陶瓷部件及包括该陶瓷部件的等离子体蚀刻装置
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简介: 实施方式涉及一种陶瓷部件及包括其的等离子体蚀刻装置等。一实施方式涉及一种陶瓷部件,其为应用于等离子体蚀刻装置的陶瓷部件,上述陶瓷部件的特征在于,上述陶瓷部件包括复合材料以及与上述复合材料相接填充的基质,上述复合材料包括选自由碳化硼基材料和碳基材料中的一种,上述基质包括碳化硼基材料,上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中,在481cm‑1附近的峰的强度Ia与在534cm‑1附近的峰的强度Ib之总和Iab和在270cm‑1附近的峰的强度Ic与在320cm‑1附近的峰的强度Id之总和Icd的比Iab/Icd为0.7至2.8,上述复合材料的碳基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中,G带峰的强度Ie与D带峰的强度If的比Ie/If为0.2至2。
实施方式涉及一种陶瓷部件及包括其的等离子体蚀刻装置等。一实施方式涉及一种陶瓷部件,其为应用于等离子体蚀刻装置的陶瓷部件,上述陶瓷部件的特征在于,上述陶瓷部件包括复合材料以及与上述复合材料相接填充的基质,上述复合材料包括选自由碳化硼基材料和碳基材料中的一种,上述基质包括碳化硼基材料,上述复合材料的碳化硼基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中,在481cm‑1附近的峰的强度Ia与在534cm‑1附近的峰的强度Ib之总和Iab和在270cm‑1附近的峰的强度Ic与在320cm‑1附近的峰的强度Id之总和Icd的比Iab/Icd为0.7至2.8,上述复合材料的碳基材料在通过拉曼光谱学测定的拉曼位移光谱中,G带峰的强度Ie与D带峰的强度If的比Ie/If为0.2至2。
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标签:复合材料
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