简介： 本发明提供一种薄膜的制备方法与QLED器件，方法包括步骤：将单糖、钼源和硫源溶解于水中，经水热反应得到MoS₂纳米片/多糖的二元复合前驱体，然后经焙烧处理得到MoS₂纳米片/C的二元复合材料；将所述MoS₂纳米片/C的二元复合材料和金源混合，在含有还原气体的惰性气氛下经焙烧处理得到Au纳米颗粒‑MoS₂纳米片/C三元复合材料；将所述Au纳米颗粒‑MoS₂纳米片/C三元复合材料溶于溶剂中，得到Au纳米颗粒‑MoS₂纳米片/C三元复合材料溶液，在基板上沉积该溶液后，退火得到所述薄膜。采用本发明的薄膜作为QLED器件的空穴传输层，可以提高空器件中空穴传输效率；同时碳杂化结构可以提高载流子的迁移效率。