简介:
本发明公开了本发明提供了一种用于准确测试裸芯片电阻值的探针及及其制造方法,包括探针本体,所述探针本体为一体成型,所述探针本体采用下述材料:含有PP/SEBS基复合材料和配置在所述复合材料颗粒间的导电填充材料;其中,所述PP/SEBS基复合材料的质量百分比为70%‑99%,且PP/SEBS基复合材料中PP与SEBS的质量比为0.3‑2:1;所述导电填充材料的重量百分比为1%‑30%,且所述导电填充材料包括下述质量百分百的填料:65%‑80%的金属填料和20%‑35%的碳系填料。本发明中,通过在PP/SEBS基复合材料中填充合适配方的金属填料和碳系填料,制备出低电阻率、硬度高的探针材料。以本发明所提供的探针材料替代金作为半导体激光器芯片的探针,降低了生产成本。
本发明公开了本发明提供了一种用于准确测试裸
芯片电阻值的探针及及其制造方法,包括探针本体,所述探针本体为一体成型,所述探针本体采用下述材料:含有PP/SEBS基
复合材料和配置在所述复合材料颗粒间的导电填充材料;其中,所述PP/SEBS基复合材料的质量百分比为70%‑99%,且PP/SEBS基复合材料中PP与SEBS的质量比为0.3‑2:1;所述导电填充材料的重量百分比为1%‑30%,且所述导电填充材料包括下述质量百分百的填料:65%‑80%的金属填料和20%‑35%的碳系填料。本发明中,通过在PP/SEBS基复合材料中填充合适配方的金属填料和碳系填料,制备出低电阻率、硬度高的探针材料。以本发明所提供的探针材料替代金作为半导体激光器芯片的探针,降低了生产成本。