简介： 本发明涉及新材料领域旨在提供一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法。该金属氧化物的分子式为Gd_0.4Er_0.3La_0.4Nd_0.5Y_0.4)(Zr_0.7,Sn_0.8,V_0.5)O₇；其外观呈粉体状，微观结构显示为边长4～12nm、厚度1～3nm的正方形纳米片。相对于现有的高熵氧化物，本发明的产品具有高导电的特点，能够在导电合金、电接触复合材料、导电复合材料、多功能生物基复合材料、导电/抗静电功能复合涂层等方面得到更好的应用。