简介： 本发明首次提出了一种以GaN/Al2O3做 为一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物外延的复合衬底及其制备方法和 有关的质量要求; 直接生长GaN等Ⅲ－Ⅴ族氮化物单晶薄 膜, 提高成品率, 有好的重复性, 涉及以GaN为基础的光发 射二极管(LED)、激光器(LD)、场效应晶体管(FET)、光 电探测器等器件的制备, 并直接和Ⅲ－Ⅴ氮化物半导体的 光电器件、电子学器件的制备技术有关。