简介:
复合材料红外探测器制备方法,属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤:1)制备衬底和绝热层,衬底的厚度为0.01-10mm;绝热层的厚度为100nm~50um;2)在绝热层上制备热敏感单元,所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极,热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料;热敏感薄膜厚度为15~20um;3)在热敏感单元的表面制作红外吸收层;4)用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单,可以实现薄膜的大面积低温制备,满足与ROIC电路兼容的要求。
复合材料红外探测器制备方法,属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤:1)制备衬底和绝热层,衬底的厚度为0.01-10mm;绝热层的厚度为100nm~50um;2)在绝热层上制备热敏感单元,所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极,热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料;热敏感薄膜厚度为15~20um;3)在热敏感单元的表面制作红外吸收层;4)用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单,可以实现薄膜的大面积低温制备,满足与ROIC电路兼容的要求。