简介： 本发明公开了一种具有金属缓冲层的CZT薄膜复合材料及其制备方法，所述碲锌镉薄膜采用衬底‑缓冲层‑半导体的三明治结构的组合形式，依次由衬底、金属缓冲层和碲锌镉三部分进行层叠组装结合的结构。本发明在传统碲锌镉薄膜生长过程中加入金属缓冲层。与传统生长方式相比，本发明所采用的金属缓冲层技术，得到的薄膜生长速度更快，薄膜晶粒尺寸更大，薄膜晶体质量更高。本发明制备的薄膜材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。