简介： 本实用新型公开了一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述IGBT基板包括焊接面和散热面，所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为铝合金层（2），所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层（1），所述焊接面、AlSiC层（1）和散热面为一体结构；所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片（5），所述半导体制冷片（5）的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。本实用新型所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数，散热速度快。