二茂铁/多壁碳纳米管手性复合材料修饰电极的构建和应用
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二茂铁/多壁碳纳米管手性复合材料修饰电极的构建和应用
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了二茂铁/多壁碳纳米管手性复合材料修饰电极的构建方法,是将多壁碳纳米管超声分散到二茂铁的DMF‑H2O混合溶液中,剧烈搅拌5.5~6.5h,离心,洗涤,干燥,得到二茂铁功能化多壁碳纳米管MWCNTs/Fc;将电极置于MWNTs/Fc溶液中,利用循环伏安法扫描,得到电极MWNTs/Fc/GCE;然后将β‑CD溶液滴涂到MWNTs/Fc/GCE上,得到手性识别材料修饰电极β‑CD/MWNTs/Fc/GCE。将修饰电极β‑CD/MWNTs/Fc/GCE置于色氨酸异构体的溶液中,利用差示脉冲伏安法将氨基酸异构体进行识别,峰电流值较高的为D‑色氨酸,峰电流值较低的为L‑色氨酸。
本发明公开了二茂铁/多壁碳纳米管手性复合材料修饰电极的构建方法,是将多壁碳纳米管超声分散到二茂铁的DMF‑H2O混合溶液中,剧烈搅拌5.5~6.5h,离心,洗涤,干燥,得到二茂铁功能化多壁碳纳米管MWCNTs/Fc;将电极置于MWNTs/Fc溶液中,利用循环伏安法扫描,得到电极MWNTs/Fc/GCE;然后将β‑CD溶液滴涂到MWNTs/Fc/GCE上,得到手性识别材料修饰电极β‑CD/MWNTs/Fc/GCE。将修饰电极β‑CD/MWNTs/Fc/GCE置于色氨酸异构体的溶液中,利用差示脉冲伏安法将氨基酸异构体进行识别,峰电流值较高的为D‑色氨酸,峰电流值较低的为L‑色氨酸。
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标签:复合材料
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