碳化硅陶瓷及其制备方法和Al-SiC复合材料
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碳化硅陶瓷及其制备方法和Al-SiC复合材料
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简介: 本发明涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法及由该方法制备得到的碳化硅陶瓷和Al‑SiC复合材料,所述方法包括将碳化硅组合物混合成型,然后热解、烧结得到碳化硅陶瓷;其中,所述碳化硅组合物包括主料和粘结剂;所述主料包括碳化硅粉体、炭黑粉体和单质硅粉体;所述粘结剂为羟丙基淀粉醚与聚乙烯醇的混合物。用本发明的方法制备得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度高,可以达到20Mpa以上,且气孔率高于22%,用本发明得到的碳化硅陶瓷制备的Al‑SiC底板的抗弯强度及导热率明显高于对比例得到的Al‑SiC底板。
本发明涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法及由该方法制备得到的碳化硅陶瓷和Al‑SiC复合材料,所述方法包括将碳化硅组合物混合成型,然后热解、烧结得到碳化硅陶瓷;其中,所述碳化硅组合物包括主料和粘结剂;所述主料包括碳化硅粉体、炭黑粉体和单质硅粉体;所述粘结剂为羟丙基淀粉醚与聚乙烯醇的混合物。用本发明的方法制备得到的碳化硅陶瓷的抗弯强度高,可以达到20Mpa以上,且气孔率高于22%,用本发明得到的碳化硅陶瓷制备的Al‑SiC底板的抗弯强度及导热率明显高于对比例得到的Al‑SiC底板。
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