简介： 本发明介绍了一种在氟掺杂氧化锡（FTO）导电玻璃上制备交叉式板状三氧化钨‑氧化铁复合材料的方法，属于无机化学和材料合成领域。三氧化钨作为一种宽带隙半导体材料其光激发范围被限制在近紫外区域，氧化铁的负载可以极大地增强电子的传递并且进一步提高材料的光电转化效率。本方法的特点是利用氟掺杂氧化锡导电玻璃作为平台，操作过程简单，对环境无污染，成本低，反应条件易实现。该方法通过两步法在氟掺杂氧化锡导电界面上形成大面积的交叉式板状三氧化钨‑氧化铁，其作为光敏材料为光电化学传感器的发展打下了基础。