简介： 本发明纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途，属于功能复合结构及其制备和应用的技术领域。本发明的技术方案是采用CVD法一步生长纳米晶石墨/硼掺杂金刚石(NG/BDD)复合电极，并将其作为电化学电极，检测痕量分子。NG的形成是在较高温度下，在B掺杂的作用下使金刚石(111)面表面发生重构而成。本发明BDD的(111)面形成大量NG，增加导电性，提升对检测物质的吸附提高电化学电极的检测灵敏度，可检测多种痕量化学和生物分子。本发明电极制备工艺简单，便于大规模制备，并对金刚石传感器在检测低浓度和痕量化学和生物分子具有重要意义。