简介： 本发明涉及一种提高碳/碳复合材料与锂铝硅玻璃陶瓷连接性能的方法，以聚合物高温裂解法原位生长SiC纳米线，工艺简单、生成产量可控，可使MAS中间层在热压烧结过程中充分渗入纳米线多孔层以形成致密的纳米复合界面层，利用原位生长纳米线的增韧增强作用解决了SiC与MAS弱结合的问题，从而可显著提高C/C‑LAS接头的连接性能，在本发明指导下，接头的平均剪切强度由背景技术中的24.9MPa提高到38.2Pa。本发明通过聚合物高温裂解的方法在SiC涂层表面原位生长SiC纳米线，该方法工艺稳定，并且可实现对纳米线产量的控制，使熔融玻璃在连接温度下向纳米线多孔层充分渗入，形成致密的连接界面，从而提高接头的连接性能。