简介： 本发明涉及一种高硅含量的铝基梯度电子封装复合材料的制备方法，属于铝基粉末材料热成形工艺。本发明解决了现有Al‑Si电子封装材料制备方法，无法实现封装料梯度结构设计及近净成形的不足。本发明通过粉末冶金结合多次装料冷压、分步热压等工艺制备的梯度结构电子封装材料，具有成分梯度可以调控、成本低廉且具备精密成形的优点，可以在保障良好性能的同时大幅度降低后续的机加工变形量。本发明适用于Si质量含量从20％～75％的梯度铝基电子封装材料的制备，以及高性能电子封装料坯材以及半成品的制备。