简介： 本发明涉及一种基于化学气相沉积的半导体复合材料的制备方法，在化学气相沉积反应室内，采用半导体合成原料以化学气相沉积法在基底上沉积半导体材料，得到半导体材料与基底之间具有耦合界面的目的产物。与现有技术相比，本发明利用化学气相沉积制备出具有特定耦合界面的金属半导体复合物，该材料既具备了基底金属材料的优异电导性能和表面结构性质，同时又因其特殊的耦合界面，使得材料的电催化性能进一步提高。