简介： 本发明提供了一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件，属于光电材料技术领域。本发明提供的ZnO基复合层材料的电阻高于ZnO，降低了电子传输层的电子迁移率，减小了电子注入与传输的效率，有效调控了ZnO层的电子注入能力；其中，胺基修饰的SiO2包覆层的NH2‑封端可在发光层/电子传输层的界面形成偶极层，构成界面间的逆向电场，改变电子注入的方式，进一步调控了界面的电子传输，使QLED的电荷注入趋近完全平衡，降低了由于载流子注入不平衡引起的非辐射复合；SiO2壳层隔绝了ZnO与量子点的直接接触，有效削弱了ZnO表面的缺陷态对量子点的荧光猝灭，最终提高了QLED器件的外量子效率和使用寿命。