简介： 本发明涉及一种硅碳氮吸波陶瓷基复合材料的制备方法，经CVD/CVI技术，在适合的温度范围内，采用SiCl4、SiHCl3或其它氯硅化物、硅烷作为硅源，CH4、C3H6、C2H2或其它烷烃、烯烃、炔烃作为碳源，NH3或N2作为氮源，H2作为载气与反应气体，Ar作为稀释气体，在基底材料上原位合成SiCN，获得了均匀致密、无杂质、组分和吸波性能可设计的SiCN基体和涂层。本发明克服现有技术制备CFCC-SiC吸波性能不高的不足，同时便于实现所制备的吸波基体的组分、渗透性、厚度以及吸波性能的控制。