简介： 本发明公开了一种集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法，采用化学气相沉积或溶剂剥离方法制备单层、双层、少层的氮化硼烯和石墨烯，通过相应的转移技术，先后转移到功率芯片的局部热点上。以氮化硼烯作为电路的绝缘保护层，同时发挥其与石墨烯良好的热传导性能，可以在高热流密度的大功率电子器件中满足散热需求。