简介： 本实用新型公开了一种氮化硅基复合材料，包括氮化硅基陶瓷介质板和铜箔，所述铜箔位于氮化硅基陶瓷介质板外表面上，本实用新型通过Si3N4陶瓷片的表面预处理技术实现Si3N4陶瓷介质板与铜箔界面特性的优化，获得具有优良力/热/电综合性能的Si3N4陶瓷DBC基板，其兼具有高强度与高热导率的特性，具有良好的介电性能，能够有效减少信号传输的功率损耗，线性膨胀系数与硅接近，作为电子封装材料能够有效保证封装的可靠性等优点。