简介： 本发明公开了一种碲‑氮化硼复合材料及其制备方法和场效应器件，该制备方法包括以下步骤：S1、在基板上制备氮化硼纳米管；S2、在所述氮化硼纳米管的表面覆上光刻胶，然后采用光刻工艺结合反应离子刻蚀工艺，将所述氮化硼纳米管切割成具有两端开口的段体，去除所述光刻胶；S3、将步骤S2得到的基板浸入45～55℃的氨水中处理，然后置于空气氛围中在800～900℃热处理；S4、将步骤S3得到的基板和碲粉置于真空密闭体系中，在300～500℃加热。本发明使用氮化硼纳米管作为碲半导体的包覆材料，解决碲纳米线材料在常温空气条件下工作稳定性差的问题，在场效应器件中具有更好的应用前景。