简介： 本发明公开了一种在柔性碳基底生长垂直二硫化钨的方法、二硫化钨‑碳复合材料及应用。所述方法包括：在碳纳米管薄膜上生长形成碳镀层，得到碳镀层/碳纳米管复合薄膜；在其表面生长三氧化钨，得到三氧化钨/碳镀层/碳纳米管复合薄膜；再进行硫化处理，使形成的二硫化钨纳米片垂直生长于碳镀层/碳纳米管复合薄膜上，制得二硫化钨‑碳复合材料。本发明通过化学气相沉积方法，在易于滑移变形的CNT薄膜表面沉积碳镀层，可阻止CNTs的滑移，改善基底的稳定性，进而有效实现二硫化钨纳米片的垂直生长，制备过程简单，易于控制；并且，制备得到的二硫化钨纳米片垂直率高，在很大程度上保证较多的活性边缘暴露，在电化学领域应用前景广泛。