简介： 本发明涉及一种通过超高温陶瓷粉基体改性制备超高温陶瓷基复合材料的方法。本发明采用真空压力浸渍法在30%vol-40vol%气孔率C/SiC中引入超高温陶瓷（UHTC）粉体和碳有机前驱体，结合反应熔体渗透法（RMI）使熔融硅和基体中裂解碳原位反应生成SiC并使材料致密化，制备C/SiC-UHTC复合材料。采用30vol%-40vol%气孔率C/SiC作为预制体，一方面SiC基体在RMI过程中保护纤维不受熔融硅侵蚀以提高材料的力学性能，另一方面可以在预制体中引入一定量的UHTC粉体提高抗烧蚀性能。