简介： 本发明公开一种硅纳米线—聚吡咯复合材料的制备方法，以硝酸银和氢氟酸对单晶硅片进行金属辅助化学刻蚀，以在单晶硅片形成垂直于表面的硅纳米线，然后在单晶硅片表面旋涂十二烷基苯磺酸和过硫酸铵的混合溶液，再置于密闭聚合装置中，吡咯单体溶液的上方，抽为负压进行聚合，以得到硅纳米线—聚吡咯复合材料。本发明克服传统液相化学聚合法和电化学制备方法的诸多缺点，制备方法简单，成本低廉，功耗低，合成的聚吡咯薄膜致密均匀，利用本发明方法构筑的聚吡咯表面修饰一维硅基气敏材料对特定气体具有高的室温灵敏度和快速响应恢复性能。