简介： 本发明涉及一种半导体基片热沉复合材料的制备方法,该方法主要步骤:钽丝预处理,硅衬底预处理,硅片预处理后放入热丝化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底;抽真空后通入反应物氢气和丙酮,进行微米晶金刚石薄膜成核;调节丙酮和氢气流量及温度等条件,进行微米晶金刚石薄膜生长;然后进行纳米晶金刚石薄膜生长:调节丙酮和氢气的流量,衬底温度控制在600～650℃,薄膜生长时间3～5小时,由此获得表面比较光滑的金刚石复合薄膜,即为半导体基片热沉的复合材料。本发明设备简单、生长速度快、质量较好、易实现大面积沉积等优点。