简介： 本发明公开了一种离子交换制备PbS‑MoSx光电复合材料的方法。在合成PbS纳米片的基础上，通过离子交换，采用Mo5+离子将PbS纳米片表层的Pb2+离子交换出来，使表面转化为MoSx,形成PbS‑MoSx的复合异质结构。本发明操作简单，能够通过改变离子交换的反应时间控制PbS纳米片表面MoSx层的厚度，从而改变材料的光电性能。离子交换反应后得到的复合物材料的光电性能优于单独的PbS纳米片，所制备的PbS‑MoSx复合材料在光电领域有良好的应用前景。