简介： 本发明公开了一种掺氮晶型金刚石半导体材料，属于金刚石半导体领域。其中，所述掺氮晶型金刚石半导体复合材料包括以高温高压法制得的IIa型金刚石晶体作为衬底材料，以CH₄、Ar和NH₃作为气体源，在衬底材料上生长出的掺氮晶型金刚石。本发明进一步公开了制备所述掺氮晶型金刚石半导体材料的方法。利用本发明制备的掺氮晶型金刚石半导体材料，具有较好的电学性能和半导体性能，可以推动金刚石半导体器件的发展，也将有助于金刚石基半导体器件的产业化发展。