简介： 本发明属于环境材料制备技术领域。特指一种复合材料光催化剂及制备方法及应用。采用原位生长法制备一种AgInS₂量子点修饰的花球状MoS₂复合半导体并负载于GO上，得到AgInS₂‑MoS₂/GO复合材料光催化剂，在提高AgInS₂量子点分散性的同时也能实现对AgInS₂‑MoS₂复合金属多硫化物异质结能带调控的目的；通过控制半导体材料的形貌可以有效调控光催化剂的能带结构、与其他材料复合的界面效应以及与污染物的接触面积等，从而进一步提高光催化活性。