简介： 本发明涉及一种具有耐高温、耐腐蚀、抗热冲击的 导电陶瓷材料, 其成分由导电相TiB2(40－58wt%), 非导电相BN(42－60wt%), 添加剂AlN(0～10wt%)和SiC(0～5wt%)复合构成, 采用感应热压烧结或通电加压烧结方法在1700℃～2000℃之间烧结而成。这种导电陶瓷复合材料的主要原料TiB2由燃烧还原合成方法制备(专利申请号 : 01128497.8), 这种TiB2陶瓷原料具有较高的烧结活性, 可大大降低烧结温度。本发明涉及的导电陶瓷复合材料可制成陶瓷坩埚, 用于各种材料和部件的表面金属化, 具有电阻率稳定, 使用寿命长的特点。