简介： 本发明属于电子封装材料领域,主要应用于微电子和半导体行业的金属封装行业,特别是涉及一种采用轧制工艺制备铜/钼/铜电子封装复合材料的方法。该方法包括表面处理、包覆、热轧、退火、冷轧、后续处理六个步骤。本发明与现有技术相比具有制备工艺简单、易控制、适于规模化生产的优点,其成品具有高导热、尺寸适应性和一致性好、成品率高、冲压性能良好,同时具有与半导体材料相匹配的热膨胀系数和导热率的优点。