简介： 本发明公开一种硅与金属复合材料的微结构加工方法,包括:一.硅片与硅衬底上的金属电铸种子层的共熔键合;二.AZ正胶电铸金属图案的光刻;三.第一层硅结构的深度刻蚀;四.电铸金属内装结构;五AZ正胶硅结构图案的光刻;六.第二层硅结构的深度刻蚀;七.去除光刻胶和分离基底,释放出硅与金属复合材料的微结构。有益效果是:由于将功能型硅片键合在具有金属种子层的硅衬底上,在运用反应离子耦合的干法硅深度刻蚀技术刻蚀,电铸金属结构,刻蚀其他的硅结构;该方法获得的微结构尺寸精度高,电铸金属结构完美,因为深度刻蚀的硅侧壁本身具有扇贝型条纹,电铸的金属结构与硅结构互相咬合,不易分离脱落;另外,由于采用深度刻蚀和电铸工艺,重复性好。