简介： 本发明涉及一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法，该复合材料为GaN，具体制备方法为：将纯度为99.99％GaN靶材和金属衬底分别安置于溅射腔中，靶材与衬底距离D＝7cm；对腔体进行抽真空，V≥1×10-7Torr；对衬底进行加热，并将其温度保持在25～700℃；利用磁控溅射对靶材进行轰击，在金属衬底上沉积生长GaN。所制备GaN直接生长在导电基体上，与基体结合紧密；所制备样品中GaN为均匀的纳米颗粒，平均尺寸在40nm；所制备GaN可作为锂离子电池负极材料，具有较高充、放电容量和较低的充、放电平台。