简介： 本发明提供一种具有高电化学特性的硅/石墨烯多层膜复合材料阳极结构，藉石墨烯高导电性的优点改善硅材料的电化学特性，并将该石墨烯及该硅薄膜的厚度皆控制于100nm以下，以降低充放电过程中各薄膜的体积变化。首先于铜箔电流收集器表面沉积一石墨烯薄膜以形成该结构的底表面，可避免该电流收集器与该硅薄膜的导电度差异过大而造成电化学表现不佳。为防止该硅薄膜因接触空气而氧化成不具活性的二氧化硅，故最后亦以一石墨烯薄膜形成该结构的顶表面。