简介:
聚吡咯/凹凸棒土导电复合材料的制备方法,其步骤为:(1)将凹凸棒土和水在搅拌下混合,充分浸渍做成浆液,凹凸棒土与水的质量比为:0.7~17.5∶1000;(2)将氧化剂加入到含有吡咯单体和氨基磺酸,以及上述凹凸棒土浆液的混合液中,在氮气保护下,在10~40℃温度下进行反应,时间持续10分钟~6小时;其中凹凸棒土与吡咯单体的质量比为:0.5~12.7∶10,氨基磺酸与吡咯单体的摩尔比为:0.3~7∶1,氧化剂与吡咯单体的摩尔比为:0.5~1.2∶1。(3)将反应液经过滤、洗涤至滤液呈中性;(4)将滤饼40℃下真空干燥,粉碎后得导电复合材料。
聚吡咯/凹凸棒土导电
复合材料的制备方法,其步骤为:(1)将凹凸棒土和水在搅拌下混合,充分浸渍做成浆液,凹凸棒土与水的质量比为:0.7~17.5∶1000;(2)将氧化剂加入到含有吡咯单体和氨基磺酸,以及上述凹凸棒土浆液的混合液中,在氮气保护下,在10~40℃温度下进行反应,时间持续10分钟~6小时;其中凹凸棒土与吡咯单体的质量比为:0.5~12.7∶10,氨基磺酸与吡咯单体的摩尔比为:0.3~7∶1,氧化剂与吡咯单体的摩尔比为:0.5~1.2∶1。(3)将反应液经过滤、洗涤至滤液呈中性;(4)将滤饼40℃下真空干燥,粉碎后得导电复合材料。