简介： 本发明提出了一种高ZT值的BiSbTe基纳米复合材料的制备方法，包括如下步骤：将Bi粉末、Sb粉末、Te粉末和SiC粉末在球磨机中研磨后进行放电等离子烧结，得到块体Bi0.3Sb1.7Te3+xvol％SiC，其中，x＝0.1，0.4或0.6。本发明的制备方法，将SiC纳米粒子分散入BiSbTe基体中能够有效提高热电性能。本发明制备的纳米复合材料中，SiC纳米粒子与Bi0.3Sb1.7Te3基体形成了共格界面，同时提高了电导率和Seebeck系数，同时通过增强声子散射降低了热导率，SiC纳米粒子进一步赋予BiSbTe材料优秀的机械性能，有利于实际应用和器件制备。