简介： 本发明提供了一种基于多线切割技术的1‑3复合材料制备方法，属于电子元器件制造技术领域。该方法由传统压电陶瓷基体制备、上电极、多线切割以及后续的灌注、加工、印制电极等工艺过程组成。本方法发明的单、双面多次切割工艺，充分发挥了多线切割小应力、接近常温切割的特点，实现对极化后的压电陶瓷进行高精度切割，制备的复合材料无明显退极化，能够充分发挥基体材料性能，避免了传统工艺灌注后极化困难的不利影响。与传统工艺相比，适合批量式生产，具有明显的技术优势。