简介： 本发明属于高介电材料技术领域,具体涉及一种含有银纳米线的高介电复合材料的制备方法。该复合材料是以银纳米线为填充材料,以聚偏氟乙烯为基体材料,其中银纳米线的体积占银纳米线和聚偏氟乙烯混合体积的5～26%。其是将银纳米线和聚偏氟乙烯加入到有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺中,超声30～50分钟使其均匀分散,将获得的混合溶液在60～80℃加热搅拌6～10个小时,冷却至室温后将混合液体浇铸成膜,在60～80℃烘干,最后在100～120℃真空烘箱里热处理12～36小时,即得到银纳米线作为填充材料,聚偏氟乙烯作为基体材料的含有银纳米线的高介电复合材料。本发明制备的含银纳米线的高介电复合膜具有高的介电常数,很好的柔韧性,而且均匀致密。