简介:
本发明公开了一种钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶薄膜复合材料及制备方法,该制备方法包括,1)在衬底基板上沉积缺陷捕获层,再在缺陷捕获层上沉积氧化埋层,以形成复合基板;2)通过离子注入法将一种或混合离子注入到钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶晶圆,以形成薄膜层、损伤层和余料层;3)将薄膜层和氧化埋层键合以使复合基板和钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶形成键合体,对键合体加热预定时间,使薄膜层与余料层分离,分离后的薄膜层及残余部分损伤层与复合基板一起形成初始单晶薄膜复合材料,最后通过化学机械抛光去除损伤层,得到钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶薄膜复合材料。本发明提高了器件的工作效率和温度稳定性等性能指标,为器件的半导体集成和小型化提供了便利。
本发明公开了一种
钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶薄膜
复合材料及制备方法,该制备方法包括,1)在衬底基板上沉积缺陷捕获层,再在缺陷捕获层上沉积氧化埋层,以形成复合基板;2)通过离子注入法将一种或混合离子注入到钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶晶圆,以形成薄膜层、损伤层和余料层;3)将薄膜层和氧化埋层键合以使复合基板和钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶形成键合体,对键合体加热预定时间,使薄膜层与余料层分离,分离后的薄膜层及残余部分损伤层与复合基板一起形成初始单晶薄膜复合材料,最后通过化学机械抛光去除损伤层,得到钙钛矿型Relaxor‑PT固溶体单晶薄膜复合材料。本发明提高了器件的工作效率和温度稳定性等性能指标,为器件的半导体集成和小型化提供了便利。