简介： 本发明公开了一种高导热Cu‑Invar双金属基复合材料的粉末冶金制备方法，包括如下制备步骤：(1)选材；(2)筛分；(3)混料；(4)还原；(5)烧结。与其它Cu‑Invar复合材料的制备方法相比，本发明选取较大粒径的Invar合金粉体，采用放电等离子体烧结工艺，降低烧结温度，缩短高温停留时间,制备的Cu‑Invar双金属基复合材料中Invar颗粒分布均匀，性能无各向异性，且界面扩散基本完全抑制，综合性能优异，可用作高性能电子封装热沉材料。