简介： 本发明涉及复合材料领域，具体涉及一种制备碳化硅致密复合材料的方法。一种制备碳化硅致密复合材料的方法，该方法包括：(1)材料清洗：将待沉积材料置于高纯水中超声清洗，之后干燥后待用；(2)表面除杂：将清洗后的待沉积材料经过高温将表面杂质形成金属卤化物升华除去；(3)沉积碳化硅：将除杂后的待沉积材料置于碳化硅沉积装置中，在不同温度下，向所述若干个保护罩内分别通入不同浓度的气体，通过化学气相沉积反应在待沉积材料表面进行不同程度的碳化硅的沉积；本发明解决了一个生产周期内，装置内需完成多个产品的碳化硅涂层沉积工作，且各产品的技术要求(例如碳化硅涂层厚度，表面结构，均匀性等)均不相同的问题。