简介： 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种限域界面定向锚定Pt单原子于N‑AC₁/N‑AC₂复合材料的方法。制备步骤包括：改性SiO₂与酸化g‑C₃N₄结合，制备g‑C₃N₄/SiO₂；g‑C₃N₄/SiO₂与盐酸多巴胺反应，制备PDA/g‑C₃N₄/SiO₂复合材料；惰性气体下煅烧；酸/碱除去SiO₂，制备N‑AC₁/N‑AC₂空心球；负载铂单原子。本发明巧妙的利用限域界面、较低温定向锚定单原子技术，避免了常规方法中单原子的聚集失活现象的发生，提高了贵金属的利用率，提升了材料性能。本发明工艺安全、操作简单，可大幅降低生产成本，对环境几乎没有污染，便于大规模应用。