简介： 本发明公开了一种提升石墨烯片‑碳纳米管阵列复合材料场发射性能的方法，属于纳米材料的制备和应用领域。包括以下制备工艺：(1)利用银离子轰击预处理硅单晶片；(2)利用热化学气相沉积法制备碳纳米管阵列并对其进行高温退火处理；(3)利用微波等离子体增强化学气相沉积法在碳纳米管阵列上制备薄层石墨烯片；(4)对所得石墨烯片‑碳纳米管阵列在室温下进行氮、氢等离子体处理。与现有技术相比，本方法所制备的氮掺杂石墨烯片‑碳纳米管阵列复合材料具有极低的工作电场、极高的电流密度和在大电流密度下具有良好的场发射稳定性，有很高的应用价值。