简介： 发明公开了一种自支撑多孔硅/ZnO复合材料的制备方法，其制备步骤包括如下：自支撑多孔硅的制备，采用p型单晶硅的多步阳极氧化腐蚀为自支撑多孔硅；ZnO籽晶的生长，利用真空抽滤氧化锌溶液分散于多孔硅层之间，在氩气氛围下生长为氧化锌籽晶；复合材料的制备，水热合成法促进多孔硅层之间的氧化锌籽晶生长为纳米氧化锌层，形成一种微纳多孔硅/ZnO复合材料。本发明通过单晶硅多步阳极氧化腐蚀法，来实现多孔硅片层的生长和剥离；通过多孔硅表面的纳米氧化锌层实现了对多孔硅表面的钝化，改善了多孔硅表面高电阻和高反应活性，大大提高了多孔硅的电容特性和电化学稳定性，拓宽了多孔硅在超级电容器领域的应用前景。