简介： 本发明涉及SiC材料及SiC复合材料，更具体地，根据以下式1计算的X‑衍射峰的衍射强度比I未满1.5的SiC材料及SiC复合材料。本发明可提供SiC材料及SiC复合材料，其暴露在等离子体时，被均匀地蚀刻，可降低裂化、洞等的发生。【式1】衍射强度比I＝(200面峰强度+220面的峰强度)/111面的峰强度。