简介： 本发明公开一种高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。所述高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料包括碳化硅基体以及均匀分布在所述碳化硅基体周围的Al2O3/RE2O3透波相和SiBCN吸波相构成的透波/吸波网络；所述高电磁波屏蔽碳化硅陶瓷基复合材料中所述Al2O3/RE2O3透波相的质量百分含量为5~15wt%，所述SiBCN吸波相的质量百分含量为10~25wt%；RE为Dy、Y、Er或Yb，优选为Y。