g-C3N4-Bi2O3异质结光催化降解吸附复合材料及其制法
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g-C3N4-Bi2O3异质结光催化降解吸附复合材料及其制法
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及污水净化技术领域,且公开了一种g‑C3N4‑Bi2O3异质结光催化降解吸附复合材料,包括以下配方原料及组分:S掺杂g‑C3N4负载石墨烯、Bi(NO3)3、Zn(NO3)2、柠檬酸。该一种g‑C3N4‑Bi2O3异质结光催化降解吸附复合材料,多孔石墨烯表面生长S掺杂g‑C3N4,三聚硫氰酸中的巯基可以降低g‑C3N4边缘处的氨基和亚氨基的含量,减小了g‑C3N4的氢键化程度,促进了光生电子的迁移的扩散,Zn取代了部分Bi的晶格,产生捕获陷阱可以捕捉光生电子,抑制了Bi2O3的光生电子和空穴的复合,g‑C3N4和Bi2O3的能带相匹配,两者界面之间形成异质结,促进了光催化复合材料光生电子和空穴的分离,三维网络结构的多孔石墨烯具有丰富的孔隙和孔道结构,可以吸附降解后的小分子。
本发明涉及污水净化技术领域,且公开了一种g‑C3N4‑Bi2O3异质结光催化降解吸附复合材料,包括以下配方原料及组分:S掺杂g‑C3N4负载石墨烯、Bi(NO3)3、Zn(NO3)2、柠檬酸。该一种g‑C3N4‑Bi2O3异质结光催化降解吸附复合材料,多孔石墨烯表面生长S掺杂g‑C3N4,三聚硫氰酸中的巯基可以降低g‑C3N4边缘处的氨基和亚氨基的含量,减小了g‑C3N4的氢键化程度,促进了光生电子的迁移的扩散,Zn取代了部分Bi的晶格,产生捕获陷阱可以捕捉光生电子,抑制了Bi2O3的光生电子和空穴的复合,g‑C3N4和Bi2O3的能带相匹配,两者界面之间形成异质结,促进了光催化复合材料光生电子和空穴的分离,三维网络结构的多孔石墨烯具有丰富的孔隙和孔道结构,可以吸附降解后的小分子。
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标签:复合材料
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