简介： 本发明提出一种陶瓷基复合材料及制备方法，通过将引入TiC组分的C/C复合材料进行金属硅反应熔渗、退火处理得到，所述的退火处理在完成反应熔渗后，温度降至低于金属硅熔化温度保温，使复合材料中残余Si和TiC发生反应生成MAX相。本发明采用C/TiC‑C进行渗硅，利用残余硅与TiC在退火处理过程中反应生成三元相Ti₃SiC₂(MAX相)，有效阻止残余硅和碳纤维的反应，解决现有RMI工艺存在的基体碳与液相硅无法充分反应的问题。