简介： 本发明公开了一种应力氧化环境下单向SiC/SiC复合材料内部氧化形貌预测方法，基于传质学理论，考虑了裂纹处初始阶段C界面的氧化缺口形貌变化，在氧化缺口到达SiC纤维处后，使用体积等效法将弧形的氧化缺口等效为矩形缺口，并在建立的控制体方程中加入了SiC纤维氧化消耗的氧气，使得模型更加接近实际情况，能准确地预测出陶瓷基复合材料在应力氧化任意时间后内部裂纹壁的氧化、氧气开始氧化纤维的时间、进入到裂纹底部后对纤维、界面和基体的氧化形貌，为之后计算应力氧化环境下陶瓷基复合材料的剩余力学性能问题提供了理论支持。