简介:
一种具有复合界面的SiCf/SiC陶瓷基复合材料,其特征在于,由CVD‑SiC涂层、PIP‑SiC基体、复合界面以及SiC纤维组成,所述的CVD‑SiC涂层是化学气相沉积法制备的碳化硅涂层,厚度为100~500μm;所述的复合界面为BN界面、ZrO2界面、LaPO4界面以及SiC界面的其中任意两种、三种交替周期叠加,循环周期次数为3~5次,所述的PIP‑SiC基体是采用聚碳硅烷原位热解形成的碳化硅;所述的SiC纤维占复合材料的体积比为40~60%,表面有5~20nm厚热解碳层制备方法是采用不同制备工艺在碳化硅纤维表面制备多层复合界面,然后采用PIP法填充SiC基体,最后采用CVD法制备表面SiC涂层。本发明制备SiCf/SiC陶瓷基复合材料强韧性高、抗氧化能力强,制备工艺简单。
一种具有复合界面的SiC
f/SiC陶瓷基
复合材料,其特征在于,由CVD‑SiC涂层、PIP‑SiC基体、复合界面以及SiC纤维组成,所述的CVD‑SiC涂层是化学气相沉积法制备的
碳化硅涂层,厚度为100~500μm;所述的复合界面为BN界面、ZrO
2界面、LaPO
4界面以及SiC界面的其中任意两种、三种交替周期叠加,循环周期次数为3~5次,所述的PIP‑SiC基体是采用聚碳
硅烷原位热解形成的碳化硅;所述的SiC纤维占复合材料的体积比为40~60%,表面有5~20nm厚热解碳层制备方法是采用不同制备工艺在碳化硅纤维表面制备多层复合界面,然后采用PIP法填充SiC基体,最后采用CVD法制备表面SiC涂层。本发明制备SiC
f/SiC
陶瓷基复合材料强韧性高、抗氧化能力强,制备工艺简单。