简介： 本发明提供了一种中子屏蔽的聚合物复合材料、制备方法、线材及应用，涉及3D打印材料技术领域，能够实现氮化硼纳米片在聚乙烯基体中的均匀分布，通过FDM打印成型为具有中子屏蔽性能的复杂形状制件；该复合材料的组分包括：聚乙烯基体，质量百分比为80‑98.8％；氮化硼纳米片，质量百分比为1‑20％；增塑改性剂，质量百分比为0.2‑2％；所述聚合物复合材料的制备过程包括：将上述原料混合后在150‑190℃环境下熔融造粒得到。本发明提供的技术方案适用于3D打印以及材料制备的过程中。